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BASF und Fraunhofer IPMS-CNT entwickeln elektronische Materialien

30.06.2015 -

BASF und Fraunhofer IPMS-CNT gaben bekannt, dass sie gemeinsam innovative Lösungen für die Halbleiterindustrie entwickeln. BASF hat dafür eine moderne Anlage für elektrochemische Metallabscheidung am Fraunhofer IPMS-Center for Nanoelectronic Technologies (CNT) in Dresden errichtet.

In Pilottests am CNT werden neueste Technologien und innovative Chemikalien weiterentwickelt, und zwar maßgeschneidert für BASF-Kunden. BASF und Fraunhofer nutzen dieselbe Anlagentechnik, wie sie auch bei den Kunden zum Einsatz kommt. Dies ermöglicht den Kunden, den Qualifizierungsaufwand signifikant zu senken. So sparen die Kunden Entwicklungszeit, senken ihre Kosten und können effizienter arbeiten. Mit Abschluss der jeweiligen Pilottests am CNT können Kunden einsatzbereite Prozesse zur Herstellung fortschrittlicher elektronischer Materialien unmittelbar nutzen.

„Die Zusammenarbeit mit Fraunhofer IPMS-CNT in Dresden ist ein weiterer Beweis für das Engagement der BASF, den wachsenden Anforderungen in der Halbleiterindustrie zu entsprechen. Es ermöglicht unseren globalen Kunden, unsere innovativen Lösungen für hochentwickelte Mikrochiptechnologien unter Produktionsbedingungen zu beurteilen“, sagt Dr. Lothar Laupichler, Senior Vice President, Electronic Materials. „In unserem globalen F&E Netzwerk, welches nun IPMS-CNT einschließt, werden wir zusammen mit unseren Kunden Produkte für die Halbleiterindustrie entwickeln, die den heutigen Standard übertreffen.”

Dr. Romy Liske, Geschäftsfeldleiterin des Fraunhofer Center for Nanoelectronic Technologies, ergänzt: „Die Weiterentwicklung von Materialen und Prozessen zusammen mit BASF ist ein wichtiger Schritt, den ständig steigenden Anforderungen an Mikrochips hinsichtlich Funktionalität, Schnelligkeit und Energieeffizienz gerecht zu werden.”

Mikrochips finden eine breite Anwendung in der Elektronikindustrie wie zum Beispiel für Computer, Mobiltelefone und elektronische Bauteile im Automobilbereich. Die Fertigung erfolgt auf einkristallinen Siliziumscheiben („Wafern“) mit typischerweise 300 mm Durchmesser innerhalb einer hochreinen Umgebung, sogenannten Reinräumen. Das Netzwerk aus Leiterbahnen in einem Mikrochip wird mittels elektrochemischer Abscheidung hergestellt.